IGBT 1000 V/10 A

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8 IGBT 1000 V/10 A

Beschreibung

Der IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) zeigt am Eingang das Verhalten eines selbstsperrenden Feldeffekttransistors (MOSFET) und am Ausgang das Verhalten eines bipolaren Leistungstransistors.
Mit schneller Inversdiode sowie einer abschaltbaren RCD-Schutzbeschaltung. Zum Einsatz in schnellen, schaltenden Anwendungen bei hohen Spannungen wie: Gleichstromsteller, Schaltnetzteile und Wechselrichter.

Technische Daten

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (U_CES): max. 1000 V
Kollektor-Strom (I_{C AV}): max. 10 A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (U_{CE SAT}): 3,5 V
Gate-Emitter-Eingangskapazität (C_GE): 1,8 nF

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