Feldeffekttransistor als Verstärker

VP4.1.6.5
Feldeffekttransistor als Verstärker
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Beschreibung

Im Versuch P4.1.6.5 wird ein Feldeffekttransistor als Verstärker in Source- und Gate-Schaltung untersucht und die Eigenschaften der jeweiligen Schaltung näher bestimmt.

Ausstattungsdetails

3 57681  4  Rastersteckplatte Si-Bu, 20/10 LD
1 578772  8  FET-Transistor J112 LD
1 57756  4  Widerstand 10 kOhm, STE 2/19 LD
1 57758  4  Widerstand 15 kOhm, STE 2/19 LD
1 57761  4  Widerstand 33 kOhm, STE 2/19 LD
1 577657  4  Widerstand 68 kOhm, STE 2/19 LD
1 57768  4  Widerstand 100 kOhm, STE 2/19 LD
1 57776  4  Widerstand 1 MOhm, STE 2/19 LD
2 57835  4  Kondensator 1 µF, bipol., STE 2/19 LD
1 57836  4  Kondensator 2,2 µF, bipol., STE 2/19 LD
1 57838  4  Kondensator (Elko) 47 µF, STE 2/19 LD
1 50148  4  Brückenstecker STE 2/19, Satz 10 LD
1 522621  4  Funktionsgenerator S 12 LD
1 521488 AC/DC Netzgerät 0...12 V/3 A LD
1 575302 Speicheroszilloskop 30 MHz, digital, zweikanalig LD
2 57524  4  Messkabel BNC/4-mm-Stecker LD
1 531120 Vielfach-Messgerät LDanalog 20 (Multimeter) LD
2 500621  4  Sicherheits-Experimentierkabel 50 cm, rot LD
2 500622  4  Sicherheits-Experimentierkabel 50 cm, blau LD
1 500624  4  Sicherheits-Experimentierkabel 50 cm, schwarz LD

Versuchsanleitung

PDF (Versuchsanleitung) PDF (Versuchsanleitung) P4.1.6.5 Feldeffekttransistor als Verstärker
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