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LWL Fototransistor, STE 4/100

LD 5819971
LWL Fototransistor, STE 4/100
  8  LWL Fototransistor, STE 4/100

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Beschreibung

Mit Basisanschluss zur Untersuchung der elektrischen Eigenschaften in Abhängigkeit von der Beleuchtung. Transistor mit spezieller Bauform zum Einstecken der Lichtwellenleiter (579 44), der darüber durch die Sendedioden (578 487/578 483) beleuchtet werden kann.

Technische Daten

  • Typ:  BPV 11 
  • Fotoempfindlichkeit: max. bei 850  nm
  • spektraler Bereich: 400 ... 1100  nm
  • Strom IC: 50  mA
  • Spannung UCE: 70  V
  • Verlustleistung PTOT : 150  mW
  • Stromverstärkung: 450
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